AUIRLS3034-7P

Dieser HEXFET-Leistungs-MOSFET wurde speziell für Automobilanwendungen entwickelt und nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses Designs sind eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von 175 Grad, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte Beständigkeit gegen wiederholte Lawinenausbrüche.