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  • KLMAG1JETD-B041

    Das Samsung KLMAG1JETD-B041 ist ein eingebettetes 32-GB-eMMC-5.1-Flash-Speichergerät, das Hochleistungs-NAND-Flash mit einem fortschrittlichen eMMC-Controller in einem kompakten BGA-Gehäuse

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  • KLM4G1FETE-B041

    Das Samsung KLM4G1FETE-B041 ist ein eingebettetes 4-GB-eMMC-5.1-Flash-Speichergerät, das für kompakte, stromsparende und hoch{7}zuverlässige Speicheranwendungen entwickelt wurde. Es integriert

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  • K4B4G1646E-BMMA

    Das Samsung K4B4G1646E-BMMA ist ein 4-GB-DDR3-SDRAM-Gerät, das für Speicheranwendungen mit hoher Geschwindigkeit und geringem Stromverbrauch optimiert ist. Es bietet eine x16-Datenbreite und wird

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  • H9HCNNNBKUMLXR-NEE

    Das SK hynix H9HCNNNBKUMLXR-NEE ist ein integriertes uMCP-Speichergerät (UFS + LPDDR4X MCP), das leistungsstarken UFS-Flash-Speicher mit stromsparendem LPDDR4X-DRAM in einem einzigen kompakten

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  • K4F6E3S4HM-THCL

    Das Samsung K4F6E3S4HM-THCL ist ein 24-GB-LPDDR4-SDRAM-Gerät, das für mobile und eingebettete Anwendungen mit hoher Leistung und geringem Stromverbrauch konzipiert ist. Es bietet hohe Bandbreite,

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  • MT53E512M32D1NP-046

    Der Micron MT53E512M32D1NP-046 ist ein 16-Gb-LPDDR4X-SDRAM-Gerät (Low Power DDR4X), das für Anwendungen mit hoher Leistung und Energieeffizienz optimiert ist. Es verfügt über einen 32-Bit-I/O, hohe

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  • MT53D512M32D2DS-053

    Der Micron MT53D512M32D2DS-053 ist ein 16-Gb-LPDDR5-SDRAM-Gerät, das für Anwendungen mit hoher Leistung und geringem Stromverbrauch entwickelt wurde. Es bietet verbesserte Bandbreite, reduzierten

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  • TM-1011A

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  • TM-002-M-01

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  • TM-001-D1-01

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  • DSHP01TS-S

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  • DS-01BLP

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