● Fortschrittliche Prozesstechnologie
● Extrem niedriger On-Widerstand
● Dynamische dv / dt-Bewertung
● 175 °C Betriebstemperatur
● Schnelles Umschalten
● Vollständig lawinenbewertet
● Bleifrei
Beschreibung
Fortschrittliche HEXFET-Leistungs-MOSFETs® von International Rectifier verwenden fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumbereich zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.
Das TO-220-Gehäuse wird universell für alle gewerblich-industriellen Anwendungen bei einer Verlustleistung von bis zu ca. 50 Watt bevorzugt. Der geringe Thermische Widerstand und die niedrigen Gehäusekosten des TO-220 tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der gesamten Branche bei.
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