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IRFP4668

IRFP4668

VorteileVerbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-RobustheitVollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche-SOAVerbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Body-Diode Bleifrei

Beschreibung

Vorteile
Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit
Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA
Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Body-Diode, bleifrei

Anwendungen
Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in SMPS
Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Hochgeschwindigkeits-Leistungsumschaltung
Hart geschaltete und Hochfrequenzschaltungen

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